1、氯化橡胶附着力(聚氨酯提高氯化橡胶附着力) 文献报道,氯化橡胶附着力SI-C键是外延缺陷的主要原因。碳原子由光刻胶和蚀刻气体产生,并在蚀刻过程中注入到体硅中。在等离子清洁器装置的等离子蚀刻过程中,碳与侧壁上的体硅或氯化硅反应形成SI-C键。因此,有必要寻找一种能够有效去除SI-C键的方法,以改善SIGe的外延缺陷。与低氢灰化工艺相比,高氢灰化...